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HBM之父:HBF与内存主导时代将至A股F投资路线图曝光
来源:火狐直播    发布时间:2026-04-18 19:33:21

  2026年4月1日,被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩在接受各个媒体采访时,发出了一项震动AI芯片产业的重要判断:

  AI芯片格局即将发生根本性变化,当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系,最终将转变为受内存主导的架构

  。这一判断的背景是AI从生成式模型迈向Agentic智能体时代,内存正成为关键的发展制约因素。

  金正浩指出,AI正从执行命令的“生成型”转向自主判断并撰写最终报告的“代理型AI”

  内存带宽和容量需增加1000倍。他认为,AI的“幻觉现象”本质上也是内存问题——“内存不足导致AI只能回答已知问题,要成为完美的代理,AI需要成为记忆天才。”目前主导AI加速器市场的HBM是通过垂直堆叠DRAM来最大化速度的内存。但金正浩认为,仅靠HBM难以满足代理型AI时代的需求

  “HBM是书架,HBF是图书馆”——HBM是为了快速回答而放在桌旁的浅显参考书,即短期记忆;而HBF则是通过堆叠NAND闪存大幅度的增加容量的巨大书架,即长期记忆。在韩国首尔举行的HBF研究内容与技术开发战略说明会上,金正浩展示了基于HBF的新型异构内存系统模块设计:在GPU两侧分别配置4组HBM与4组HBF,形成合计96GB高速缓存与2TB大容量存储的协同结构。金正浩强调,“计算创新主要将由内存架构驱动。我坚信这一点。”

  “现在是GPU的时代,但未来GPU将被整合进HBM和HBF中,GPU和CPU将沦为组件。”他解释说,埃隆·马斯克最近宣布建造涵盖封装、内存和代工的大型工厂,也是因看到了内存中心的变化。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心,但未来的系统将围绕超大容量内存(如HBM与HBF)构建,处理器则更像是嵌入其中的组件。这一构想在产业界已有初步体现。2026年2月,SK海力士在提交至IEEE的论文中提出了“H3架构”

  HBF与HBM相比,带宽相当、容量更大、访问延迟更长、写入耐久更差、功耗更高,因此H3将HBF作为HBM的“二级扩展”,HBF存储只读数据、HBM则负责其余数据。在SK海力士设计的仿线个HBF置于英伟达Blackwell GPU旁,与单独使用HBM相比,该架构可将每瓦性能提升高达2.69倍。此外,HBF处理高达1000万个令牌的海量键值缓存的场景表明,与仅使用HBM的配置相比,该系统处理并发查询的能力提升了高达18.8倍,以前需要32个GPU才能完成的工作负载,现在只需两个GPU就可以完成。金正浩预计HBF工程样品将在2027年前后问世,谷歌、英伟达或AMD等厂商最快可能于2028年开始采用该技术

  2至3年内HBF方案将频繁涌现,到2038年左右HBF市场规模将超过HBM市场。他进一步补充道:“由于在研发HBM的过程中积累了丰富的工艺和设计技术,能将这些经验应用于HBF设计中,因此HBF技术的研发速度会更快。”金正浩认为,围绕HBF的竞赛或将重演HBM时代的格局,三星电子与SK海力士有望再度正面交锋

  HBF将是胜负的关键。”2026年2月25日,SK海力士与闪迪正式联手推进HBF全球标准化,在OCP框架下成立专属工作组,标志着下一代存储架构竞争进入实质性布局阶段。三星电子与SK海力士均已与闪迪签署谅解备忘录,一同推动HBF标准化,目标是于2027年将产品推向市场

  圣泉集团是国内较早切入HBF材料领域且信息最为明确的公司之一。2026年3月6日,公司在投资者互动平台正式公开宣布,已配合产业链完成多款HBM和HBF材料的国产化开发,包括萘酚型环氧树脂及特殊固化剂等

  从研发验证与产业化进展来看,圣泉集团是A股率先公开明确HBF材料布局的公司,其产品已进入产业链验证环节。在产能与市场地位方面,公司聚焦高频高速覆铜板、半导体封装、5G通信等高端需求,覆盖PPO、碳氢树脂、环氧树脂等16类细分产品。2025年公司规划了1.2万吨芯片封装特种环氧树脂、2000吨聚苯醚、1500吨碳氢树脂以及1000吨双马树脂等产能,预计2026年底全部建成后低介电产品产能将较2025年翻番

  飞凯材料在先进封装材料领域布局更全面。2026年1月26日,公司在互动平台表示,公司在半导体先进封装领域稳定量产的功能型湿电子化学品、锡球和EMC环氧塑封料均可应用于HBF的制造工艺当中

  更为关键的是,针对HBF封装制程涉及的晶圆减薄、堆叠和封装工艺,公司开发的临时键合材料与LMC液体封装材料及GMC颗粒封装料可以适配该工艺条件,目前正处于验证导入阶段,尚未形成规模化营收。公司正与相关厂商密切合作开发与调试相关材料,共同提升HBF制程工艺成熟度与可靠性

  飞凯材料的投资亮点在于:其一,产品矩阵完整,从湿电子化学品到塑封料,从临时键合材料到液体封装材料,几乎覆盖HBF封装制程所需的全部关键材料类型,是A股唯一同时公告供应HBM和HBF封装材料的上市公司;其二,客户验证进度领先,正与相关厂商合作调试,共同提升HBF制程工艺成熟度与可靠性,一旦验证通过将具备规模化营收基础;其三,相关封装材料已应用于多种终端产品中,成熟产品线为企业来提供稳健的业绩支撑。

  华海诚科专注于半导体封装材料的研发和生产,产品体系最重要的包含环氧塑封料和电子胶黏剂。公司在先进封装领域已成功研发应用于QFN/BGA、FC、SiP、FOWLP/FOPLP等封装形式的材料,相关这类的产品通过客户验证并实现批量销售。

  华海诚科在HBM/HBF封装材料领域拥有无可争议的核心竞争力。其颗粒状环氧塑封料(GMC)是国内唯一量产企业,支持12层HBM堆叠,技术指标对标国际竞品

  深圳哈勃(华为系)持股2%,公司GMC材料已进入华为昇腾芯片供应链,预计2026年Q1随昇腾950PR量产放量。HBM专用GMC产能2026年计划扩至1.2万吨,配套H昇腾、长鑫存储等高端存储需求。在验证与产业化方面,公司的GMC材料已通过华天科技、长电科技、通富微电等封测大厂验证,并切入SK海力士、华为供应链,稀缺性类比光刻胶等其他半导体材料

  相关产品已通过客户验证,现处于送样阶段。2025年完成收购衡所华威后,公司产能跃居国内第一、全球第二,支撑业绩放量,有望成为世界级半导体封装材料企业。全球仅日本住友电木、昭和电工等少数企业垄断HBM核心材料,国内HBM封装材料国产化率不足5%,国产替代空间极为广阔。1.1.4 雅克科技(002409)

  雅克科技供应HBM制造所需的前驱体和封装用球形硅微粉,产品已进入三星、SK海力士等巨头供应链。2026年4月2日,公司在互动平台表示,先进存储扩产以及先进存储技术的引入、渗透率提升一直是前驱体市场成长、价值量增加的驱动力,目前公司在国产化产线建设完成后已具备较大的产能储备,HBM成为公司业务增长的实际推动力

  公司前驱体业务已形成中韩双研发中心、双生产基地格局,产品覆盖全品类。有投入资金的人在互动平台问及后续HBF是否会大幅度的增加前驱体和特气的需求,公司回应称将伴随下游一同成长,显示出公司在HBF材料领域的战略布局与前瞻意识。

  深科技作为国内高端存储芯片封测的有突出贡献的公司,拥有行业经验比较丰富的研发和工程团队,具备精湛的多层堆叠封装工艺能力和测试软件开发能力

  深科技在HBM领域的封测实力,是其未来切入HBF封测的最有力保障。深科技已实现12层堆叠HBM3封装技术量产,样品通过英伟达平台验证,良率达98.2%,与三星水平相当,是国内唯一实现HBM3量产封测的企业

  公司计划2026年突破16层堆叠技术,并切入英伟达供应链。16层堆叠等先进封装技术已实现量产,在存储芯片封测领域形成了核心竞争力。在产能方面,合肥二期工厂2025年10月月产能从5万片提升至8.2万片,直接承接长鑫存储、SK海力士订单,2027年规划总产能达16万片/月,较2024年增长300%

  公司HBM3封装专用产线已完成客户样品验证,计划在2025年内商用。深科技的投资价值在于:其一,技术壁垒深厚,是国内唯一实现HBM3量产封测的企业,掌握TSV、3D堆叠、混合键合等先进工艺,高端存储封装能力比肩国际一线;其二,产能持续扩张,先进封装占比持续提升;其三,深度绑定大客户,深度绑定长鑫存储,承接其70%以上委外封测,封测订单确定性高。公司还正聚焦存储芯片先进封装等方向加大技术攻关。

  通富微电在先进封装领域布局深厚。2026年2月26日,信息数据显示,公司自主研发的XDFOI全系列先进封装技术平台,已成功完成对HBF(高带宽闪存)所需的异构集成(将不同工艺、功能的芯片集成)的适配,且良率优秀

  通富微电的核心看点在于:其一,绑定国际大客户,作为AMD主要封测供应商,预计从2026年下半年开始交付MI450芯片的Chiplet封测订单,与英伟达合作的800G CPO模块、与SK海力士的HBM3后道封装协议也在推进中;其二,募资扩产明确,拟募资不超过44亿元,聚焦存储芯片、汽车电子、晶圆级封装、高性能计算及通信等核心领域

  长电科技作为国内封测龙头、全球第三大封测企业,在HBM封装领域已有显著进展。公司已开发HBM封装解决方案,包括TSV和堆叠技术,正与国内存储厂商合作,处于样品验证阶段

  ,先进封装收入占比超50%。产能方面,合肥基地专设HBM产线年满产后占全球HBM封装产能的15%。通过收购晟碟半导体获得西部数据5年优先采购协议,间接保障HBM相关存储封测需求。长电科技既具备成熟的HBM封装能力,又有充裕的产能储备,一旦HBF技术路线落地,其封装技术和产能具备快速迁移的基础。

  北方华创是国内平台化半导体设备龙头。在存储芯片制造领域,公司可提供刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理、离子注入、涂胶显影等核心工艺设备,覆盖DRAM、NAND等主流存储品类。在HBM领域,公司可提供TSV刻蚀、去胶、湿法清洗、ALD、PVD、电镀、退火等多款核心设备及工艺解决方案,相关这类的产品已批量交付主流存储及HBM客户

  2026年3月,北方华创发布了12英寸Qomola HPD30混合键合设备,聚焦SoC、HBM、Chiplet等3D集成全领域应用,攻克了高速多轴联动控制、纳米级图像识别、全局坐标精准定位等多项核心技术,成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商

  赛腾股份在HBM检测设备领域具有极高的稀缺性。公司通过收购日本Optima掌握了0.1μm级HBM检测技术,是全球唯三、A股唯一HBM全制程检测设备商

  公司HBM缺陷检验测试设备已向三星批量供货,图形晶圆检测设备已完成开发并推广,产品切入存储芯片先进制程。在客户验证与市场地位方面,公司为SK集团主要提供晶圆缺陷检验测试设备,HBM检测设备已得到海外大客户认可并已批量出货

  公司为SK集团主要提供晶圆缺陷检验测试设备,订单节奏与扩产周期高度匹配,市场对其2026年设备招标份额预期同步升温。赛腾股份的投资价值在于:技术壁垒极高,对标科磊、应用材料,覆盖12层HBM并向16层HBM4迭代,国内竞品仅能覆盖8层。订单节奏与三星、SK海力士等大厂的扩产周期高度匹配。

  快克智能在互动平台明确说,HBF与HBM结构类似,均依托Chiplet异构集成、CoWoS封装与3D堆叠,公司TCB热压键合设备目前针对HBM堆叠工艺进行开发,未来可根据HBF具体应用进行设备迭代

  该设备已开始为客户进行C2S、C2P等工艺的初步验证。在SEMICON 2026展会期间,快克芯装备自主研发的先进封装热压键合设备斩获SEMI产品创新奖一等奖

  精智达在半导体测试设备领域积极布局。公司拟定增募资不超过29.59亿元,主要投向半导体存储测试设备研发及产业化智造项目、高端芯片测试设备及前沿技术研发中心项目

  公司的HBM高速CP测试机关键验证环节已进入收尾阶段,预计2026年将迎来重要发展。公司HBM测试机专项独供,2026年有13亿重磅订单。1.3.5 长川科技(300604)

  长川科技是国内半导体测试设备有突出贡献的公司,在存储测试机领域持续深耕。公司产品有测试机、分选机、探针台等,在存储芯片测试领域具有较强的技术积累。随着HBM和HBF市场的扩张,存储测试设备需求将持续增长,长川科技作为国内测试设备龙头将显著受益。

  华峰测控是国内模拟测试机龙头,近年来积极拓展存储测试设备领域。公司在存储测试领域的布局有望受益于HBM和HBF产业化带来的资本开支需求,随着先进存储测试设备国产替代进程加速,华峰测控有望获得增量市场份额。

  兆易创新的投资价值体现在:其一,存储周期受益明确,公司所经营的存储产品均不同程度受益于存储周期改善带来的价格上行;其二,NAND布局持续深化,同时布局低容量存储SLC NAND/MLC NAND,产品线与国际大厂停产部分高度重合,有望受益于供给收缩;其三,业绩增长趋势显现,2025年下半年开始量价齐升,毛利率环比改善明显。

  佰维存储产品覆盖NAND Flash和DRAM,已进入Meta、Google、小米等有名的公司供应链,在晶圆级封测领域持续构建差异化壁垒。公司2026年1至2月预计实现营业收入40至45亿元,同比增长340%至395%;预计实现归母净利润15至18亿元,同比增长922%至1086%

  东芯股份作为存储芯片设计企业,在NAND Flash和NOR Flash领域有深厚技术积累。公司表示高度关注HBF等新兴技术,持续跟踪技术迭代与市场动态。随着HBF技术路线的成熟和市场规模的扩大,东芯股份在NAND闪存领域的技术积累有望转化为竞争优势。

  普冉股份正在通过收购加速切入高性能2D NAND存储器赛道。公司在存储芯片设计领域持续加大研发投入,未来有望在NAND Flash领域实现更深入布局,为HBF产业链提供基础存储芯片支持。

  HBF作为“HBM之父”金正浩力推的下一代AI存储技术,正处于从概念走向产业的关键时期。金正浩明确说:“在AI Transformer模型中,特别是推理场景下,系统花费更多时间从内存读取数据和执行写入过程,带宽成为限制因素。大多数推理和训练过程以及性能都受到内存限制,我们应该更多内存创新。”他强调:

  闪迪与SK海力士的HBF联盟已启动标准化进程,预计2027年前后工程样品将正式问世,2038年HBF市场规模将超过HBM

  HBF产业链的投资机会目前大多分布在在材料环节和封测环节。圣泉集团已实现HBF材料的国产化开发,飞凯材料在先进封装材料领域具备先发布局优势,华海诚科在GMC领域具有国内唯一的产能壁垒,雅克科技前驱体业务明确受益于HBM增长。封测环节中,深科技是国内唯一实现HBM3量产封测的企业,通富微电的XDFOI平台已适配HBF异构集成,长电科技是A股唯一实现HBM3e封装量产的企业。设备环节中,北方华创、赛腾股份、快克智能、精智达、长川科技、华峰测控等企业已深度参与HBM及先进封装设备领域,未来有望受益于HBF产业化带来的资本开支需求。金正浩在采访中做出了最强烈的预测:“现在GPU或CPU是计算的中心,但未来拥有巨大容量的HBM和HBF将成为中心,GPU将被整合进‘内存中心计算’时代。GPU和CPU将沦为组件,要引领这一范式,HBF必须成为基础。”

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